IGBT модули для преобразовательной техники и промышленной электроники
В разделе представлены IGBT модули для промышленного оборудования, преобразовательной техники, электроприводов, сварочных установок, источников бесперебойного питания и систем промышленной автоматизации. Поставляются силовые IGBT транзисторные модули различных производителей для применения в высоконагруженных электротехнических и энергетических системах.
IGBT модули используются в частотных преобразователях, инверторах, сервоприводах, системах управления электродвигателями, энергетических установках и промышленной электронике. Возможна поставка силовых полупроводниковых компонентов для ремонта, модернизации и обслуживания промышленного оборудования, а также подбор аналогов и замена ограниченно доступных позиций.
Силовые IGBT модули
Поставка IGBT транзисторов и модулей для преобразовательной техники и электроприводов.
Частотные преобразователи
Компоненты для инверторов, сервосистем и систем управления промышленными двигателями.
Промышленная электроника
Решения для сварочного оборудования, источников питания и энергетических систем.
Подбор и замена модулей
Подбор аналогов и поставка редких IGBT модулей для ремонта и модернизации оборудования.
IGBT-MIXM-HB17SM-1400N-C
IGBT-MIXM-HB17SM-1400N-C
IGBT в модульном исполнении. Cu основание Si3N4 подложки Медное основание AIN DBC подложки улучшенная стойкость к термо..
ICnom [A]: 1400
UCES [В]: 1700
0р.
IGBT-MIXM-HB17SM-1200N-A
IGBT-MIXM-HB17SM-1200N-A
Низкоиндуктивный IGBT модуль AlSiC основание AIN подложки улучшенная стойкость к термоциклам соответствие ROHS низкое з..
ICnom [A]: 1200
UCES [В]: 1700
0р.
IGBT-MIXM-HB12SM-1400N-C
IGBT-MIXM-HB12SM-1400N-C
IGBT в модульном исполнении. Cu основание Si3N4 подложки Медное основание AIN DBC подложки улучшенная стойкость к термо..
ICnom [A]: 1400
UCES [В]: 1200
0р.
IGBT MIXM-HB33SG-450N-A
IGBT MIXM-HB33SG-450N-A
Низкоиндуктивный IGBT в модульном исполнении. AlSiC основание AlN подложки улучшенная стойкость к термоциклам соответст..
ICnom [A]: 450
UCES [В]: 3300
0р.
IGBT MISV-SS33SG-1200N
IGBT MISV-SS33SG-1200N
IGBT модуль высокой мощности и повышенным номинальным напряжением изоляции 10.4 кВ Низкое значение UCE(sat) Быстрое и м..
ICnom [A]: 1200
UCES [В]: 3300
0р.
IGBT MISM-SS33SG-1400N
IGBT MISM-SS33SG-1400N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Квадратная область RBSOA при 2xl..
ICnom [A]: 1400
UCES [В]: 3300
0р.
IGBT MISM-SS17SM-2400N
IGBT MISM-SS17SM-2400N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Квадратная область RBSOA при 2xl..
ICnom [A]: 2400
UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MISM-DS17SM-800N
IGBT MISM-DS17SM-800N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Квадратная область RBSOA при 2xl..
ICnom [A]: 800
UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MISM-DS17SM-1200N
IGBT MISM-DS17SM-1200N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Квадратная область RBSOA при 2xl..
ICnom [A]: 1200
UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MISM-DS12SM-1200N
IGBT MISM-DS12SM-1200N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Квадратная область RBSOA при 2xl..
ICnom [A]: 1200
UCES [В]: 1200
0р.
IGBT MISM-CH17SM-1200N
IGBT MISM-CH17SM-1200N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Квадратная область RBSOA при 2xl..
ICnom [A]: 1200
UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MIRA-IRB12LA-75N
IGBT MIRA-IRB12LA-75N
Низкоиндуктивный IGBT модуль MIRA-IRB12LA-75N с высотой корпуса 17 мм. IGBT модуль с блокирующем напряжением 1200В и ток..
ICnom [A]: 75
UCES [В]: 1200
0р.
IGBT MIRA-IRB12LA-50N
IGBT MIRA-IRB12LA-50N
Низкоиндуктивный IGBT модуль MIRA-IRB12LA-50N с высотой корпуса 17 мм. IGBT модуль с блокирующем напряжением 1200В и ток..
ICnom [A]: 50
UCES [В]: 1200
0р.
IGBT MIRA-IRB12LA-150N
IGBT MIRA-IRB12LA-150N
Низкоиндуктивный IGBT модуль MIRA-IRB12LA-150N с высотой корпуса 17 мм. IGBT модуль с блокирующем напряжением 1200В и то..
ICnom [A]: 150
UCES [В]: 1200
0р.
IGBT MIRA-IRB12LA-100N
IGBT MIRA-IRB12LA-100N
Низкоиндуктивный IGBT модуль MIRA-IRB12LA-100N с высотой корпуса 17 мм. IGBT модуль с блокирующем напряжением 1200В и то..
ICnom [A]: 100
UCES [В]: 1200
0р.
IGBT MIHV-SS33SG-1500N
IGBT MIHV-SS33SG-1500N
Модуль IGBT высокой мощности и повышенным номинальным напряжением изоляции 10.2 кВ Низкое значение UCE(sat) Длительность..
ICnom [A]: 1500
UCES [В]: 3300
0р.
IGBT MIHM-SS33SG-1500N
IGBT MIHM-SS33SG-1500N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Низкое ЭМИ Быстрое и мягкое восс..
ICnom [A]: 1500
UCES [В]: 3300
0р.
IGBT MIHM-SS33SG-1200N
IGBT MIHM-SS33SG-1200N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Низкое ЭМИ Быстрое и мягкое восс..
ICnom [A]: 1200
UCES [В]: 3300
0р.
IGBT MIHM-SS17SM-3600N
IGBT MIHM-SS17SM-3600N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Низкое ЭМИ Быстрое и мягкое восс..
ICnom [A]: 3600
UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MIHM-SS17SM-2400N
IGBT MIHM-SS17SM-2400N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Низкое ЭМИ Быстрое и мягкое восс..
ICnom [A]: 2400
UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MIHA-HB17LA-300N
IGBT MIHA-HB17LA-300N
Высокое номинальное напряжение изоляции — 9800В Медное основание AlN DBC подложки Ультразвуковая приварка силовых выводо..
ICnom [A]: 300
UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MIFA-HB17SM-150N
IGBT MIFA-HB17SM-150N
Силовые модули MIFA разработаны для эксплуатации в составе промышленного оборудования с высокими требованиями к надежнос..
ICnom [A]: 150
UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MIFA-HB12SM-150N
IGBT MIFA-HB12SM-150N
IGBT-модули серии MIFA предназначены для применения в промышленной силовой электронике, электроприводах и преобразовател..
ICnom [A]: 150
UCES [В]: 1200
0р.
IGBT MIFA-HB12SM-100N
IGBT MIFA-HB12SM-100N
Силовые модули MIFA разработаны для эксплуатации в составе промышленного оборудования с высокими требованиями к надежнос..
ICnom [A]: 100
UCES [В]: 1200
0р.
Показано с 1 по 24 из 50 (всего 3 страниц)