IGBT MISM-CH17SM-1200N
- НаличиеЕсть в наличии
0р.
- ICnom [A]1200
- UCES [В]1700
- Все характеристики
Срок поставки: От 30 дней
- IGBT модуль высокой мощности
- Низкое значение UCE(sat)
- Длительность КЗ 10 мкс при 150°C
- Квадратная область RBSOA при 2xlc
- Низкое ЭМИ
- Быстрое и мягкое восстановление
- Низкое падение напряжения
- AlSiC основание
- AlN DBC подложки
- Ультразвуковая приварка силовых выводов
Общие
- ICnom [A]1200
- UCES [В]1700
- ИсполнениеТранспортное
- КонфигурацияОдин ключ в схеме чоппер
- Корпус (ширина/длина) [мм]MISM (140/130)
- Подтверждение производства на территории РФ (719ПП)Внесен в реестр
- Технология кристаллаTrench-FS
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!
Похожие товары
IGBT MISM-DS12SM-1200N
IGBT MISM-DS12SM-1200N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Квадратная область RBSOA при 2x..
ICnom [A]: 1200
UCES [В]: 1200
0р.
IGBT MISM-DS17SM-1200N
IGBT MISM-DS17SM-1200N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Квадратная область RBSOA при 2x..
ICnom [A]: 1200
UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MISM-DS17SM-800N
IGBT MISM-DS17SM-800N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Квадратная область RBSOA при 2x..
ICnom [A]: 800
UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MISM-SS17SM-2400N
IGBT MISM-SS17SM-2400N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Квадратная область RBSOA при 2x..
ICnom [A]: 2400
UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MISM-SS33SG-1400N
IGBT MISM-SS33SG-1400N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Квадратная область RBSOA при 2x..
ICnom [A]: 1400
UCES [В]: 3300
0р.