IGBT MIHA-HB17LA-300N
- Высокое номинальное напряжение изоляции — 9800В
- Медное основание
- AlN DBC подложки
- Ультразвуковая приварка силовых выводов
Общие
- ICnom [A]300
- UCES [В]1700
- ИсполнениеПромышленное
- КонфигурацияПолумост
- Корпус (ширина/длина) [мм]MIHA (62/106)
- Подтверждение производства на территории РФ (719ПП)Внесен в реестр
- Рекомендуемые драйверыIGBT-драйвер DI28-17-E-2
- Технология кристаллаTrench-FS
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!
Похожие товары
IGBT MIHM-SS17SM-2400N
IGBT MIHM-SS17SM-2400N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Низкое ЭМИ Быстрое и мягкое вос..
ICnom [A]: 2400
UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MIHM-SS17SM-3600N
IGBT MIHM-SS17SM-3600N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Низкое ЭМИ Быстрое и мягкое вос..
ICnom [A]: 3600
UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MIHM-SS33SG-1200N
IGBT MIHM-SS33SG-1200N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Низкое ЭМИ Быстрое и мягкое вос..
ICnom [A]: 1200
UCES [В]: 3300
0р.
IGBT MIHM-SS33SG-1500N
IGBT MIHM-SS33SG-1500N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Низкое ЭМИ Быстрое и мягкое вос..
ICnom [A]: 1500
UCES [В]: 3300
0р.
IGBT MIHV-SS33SG-1500N
IGBT MIHV-SS33SG-1500N
Модуль IGBT высокой мощности и повышенным номинальным напряжением изоляции 10.2 кВ Низкое значение UCE(sat) Длительност..
ICnom [A]: 1500
UCES [В]: 3300
0р.