IGBT MIHV-SS33SG-1500N

0р.

Срок поставки: От 30 дней

Модуль IGBT высокой мощности и повышенным номинальным напряжением изоляции 10.2 кВ
Низкое значение UCE(sat)
Длительность КЗ 10 мкс при 150°C
Низкое ЭМИ
Быстрое и мягкое восстановление
Низкое падение напряжения
AlSiC основание
AlN DBC подложки
Высокое номинальное напряжение изоляции — 10200 В
Соответствие RoHS

Отзывов: 0

Средняя оценка: 0.0

Ваше имя:

Ваш отзыв:

Оценка:

Фото

Поддерживаемые форматы: jpg, .jpeg, .png
Не более 5шт и 5мб

Я прочитал(а) и согласен(на) с условиями Политика в отношении обработки персональных данных

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!

Похожие товары

IGBT MIRA-IRB12LA-100N

Низкоиндуктивный IGBT модуль MIRA-IRB12LA-100N с высотой корпуса 17 мм. IGBT модуль с блокирующем напряжением 1200В и то..

ICnom [A]: 100 UCES [В]: 1200

0р.

IGBT MIRA-IRB12LA-150N

Низкоиндуктивный IGBT модуль MIRA-IRB12LA-150N с высотой корпуса 17 мм. IGBT модуль с блокирующем напряжением 1200В и то..

ICnom [A]: 150 UCES [В]: 1200

0р.

IGBT MIRA-IRB12LA-50N

Низкоиндуктивный IGBT модуль MIRA-IRB12LA-50N с высотой корпуса 17 мм. IGBT модуль с блокирующем напряжением 1200В и ток..

ICnom [A]: 50 UCES [В]: 1200

0р.

IGBT MIRA-IRB12LA-75N

Низкоиндуктивный IGBT модуль MIRA-IRB12LA-75N с высотой корпуса 17 мм. IGBT модуль с блокирующем напряжением 1200В и ток..

ICnom [A]: 75 UCES [В]: 1200

0р.

IGBT MISM-CH17SM-1200N

IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Квадратная область RBSOA при 2x..

ICnom [A]: 1200 UCES [В]: 1700

0р.