IGBT MIRA-IRB12LA-100N

Наличие
Есть в наличии

0р.

ICnom [A]
100
UCES [В]
1200
Все характеристики

Срок поставки: От 30 дней

Низкоиндуктивный IGBT модуль MIRA-IRB12LA-100N с высотой корпуса 17 мм. IGBT модуль с блокирующем напряжением 1200В и током 100А. Прибор имеет медное основание, улучшенную стойкость к термоциклам, встроенный датчик температуры.

Общие

ICnom [A]
100
UCES [В]
1200
Исполнение
Промышленное
Конфигурация
Инвертор, выпрямитель, тормозной чоппер
Корпус (ширина/длина) [мм]
MIRA (62/122)
Подтверждение производства на территории РФ (719ПП)
Внесен в реестр
Технология кристалла
Trench-FS

Отзывов: 0

Средняя оценка: 0.0

Ваше имя:

Ваш отзыв:

Оценка:

Фото

Поддерживаемые форматы: jpg, .jpeg, .png
Не более 5шт и 5мб

Я прочитал(а) и согласен(на) с условиями Политика в отношении обработки персональных данных

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0

Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!

Похожие товары

IGBT MIRA-IRB12LA-150N

Низкоиндуктивный IGBT модуль MIRA-IRB12LA-150N с высотой корпуса 17 мм. IGBT модуль с блокирующем напряжением 1200В и то..

ICnom [A]: 150 UCES [В]: 1200

0р.

IGBT MIRA-IRB12LA-50N

Низкоиндуктивный IGBT модуль MIRA-IRB12LA-50N с высотой корпуса 17 мм. IGBT модуль с блокирующем напряжением 1200В и ток..

ICnom [A]: 50 UCES [В]: 1200

0р.

IGBT MIRA-IRB12LA-75N

Низкоиндуктивный IGBT модуль MIRA-IRB12LA-75N с высотой корпуса 17 мм. IGBT модуль с блокирующем напряжением 1200В и ток..

ICnom [A]: 75 UCES [В]: 1200

0р.

IGBT MISM-CH17SM-1200N

IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Квадратная область RBSOA при 2x..

ICnom [A]: 1200 UCES [В]: 1700

0р.

IGBT MISM-DS12SM-1200N

IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Квадратная область RBSOA при 2x..

ICnom [A]: 1200 UCES [В]: 1200

0р.