IGBT MIFA-HB12SM-150N
  • Наличие
    Есть в наличии
0р.
Срок поставки: От 30 дней
+7 (3537) 31-13-13
sales@sdmprom.ru

IGBT-модули серии MIFA предназначены для применения в промышленной силовой электронике, электроприводах и преобразовательной технике.

Серия IGBT-модулей средней мощности MIFA имеет стандартный промышленный корпус с шириной основания 34 мм – это один из самых распространенных и зарекомендовавших себя корпусов IGBT в мире. Распространенное исполнение корпуса обеспечивает совместимость со значительным количеством промышленного оборудования без необходимости изменения конструкции. Конструкция модулей отличается высокой механической прочностью и устойчивостью к температурным циклам, что положительно влияет на ресурс эксплуатации.

Модули MIFA созданы с использованием современных IGBT-кристаллов Trench FS с высокими динамическими и статическими характеристиками. На данный момент семейство MIFA охватывает диапазон токов ICnom от 75 до 200 ампер для классов напряжения UCES 1200 и 1700 вольт.

В зависимости от задачи доступны различные варианты схемного исполнения – полумост, нижний чоппер и верхний чоппер (индекс HB, LC, HC в наименовании прибора соответственно).

Стандартизированный корпус и паяная конструкция позволяют упростить монтаж и обслуживание оборудования.

Особенности IGBT модуля MIFA-HB12SM-150N

IGBT модули MIFA оснащаются медным основанием для эффективного теплоотвода и равномерного распределения температуры.

Для модулей опционально предлагаются двухканальные драйверы DI28-17-E-2 собственного производства, которые могут установлены непосредственно на модуль или подключены через проводное соединение.

Процесс сборки IGBT сертифицирован на соответствие стандартам ISO 9001, ISO 14001, EcoVadis и прошел аудиты ведущих компаний мира.

Высокие электрические параметры и надежность делают данные модули MIFA хорошим выбором для в промышленных приводов, сервосистем, электротранспорте, возобновляемой энергетике, ИБП, электросетях и железнодорожном транспорте.

Дополнительно доступна адаптация продукции с учетом индивидуальных требований заказчика к техническим требованиям, подключению и внешнему виду приборов. Для подбора исполнения

Общие

  • ICnom [A]
    150
  • UCES [В]
    1200
  • Исполнение
    Промышленное
  • Конфигурация
    Полумост
  • Корпус (ширина/длина) [мм]
    MIFA (34/94)
  • Подтверждение производства на территории РФ (719ПП)
    В процессе получения
  • Технология кристалла
    Trench-FS
Отзывов: 0
Поддерживаемые форматы: jpg, .jpeg, .png
Не более 5шт и 5мб

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0
Ваш вопрос

Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!

Похожие товары
IGBT MIFA-HB17SM-150N
IGBT MIFA-HB17SM-150N
IGBT MIFA-HB17SM-150N
Силовые модули MIFA разработаны для эксплуатации в составе промышленного оборудования с высокими требованиями к надежнос..
ICnom [A]: 150 UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MIHA-HB17LA-300N
IGBT MIHA-HB17LA-300N
IGBT MIHA-HB17LA-300N
Высокое номинальное напряжение изоляции — 9800В Медное основание AlN DBC подложки Ультразвуковая приварка силовых вывод..
ICnom [A]: 300 UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MIHM-SS17SM-2400N
IGBT MIHM-SS17SM-2400N
IGBT MIHM-SS17SM-2400N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Низкое ЭМИ Быстрое и мягкое вос..
ICnom [A]: 2400 UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MIHM-SS17SM-3600N
IGBT MIHM-SS17SM-3600N
IGBT MIHM-SS17SM-3600N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Низкое ЭМИ Быстрое и мягкое вос..
ICnom [A]: 3600 UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MIHM-SS33SG-1200N
IGBT MIHM-SS33SG-1200N
IGBT MIHM-SS33SG-1200N
IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Низкое ЭМИ Быстрое и мягкое вос..
ICnom [A]: 1200 UCES [В]: 3300
0р.

Мы используем файлы cookie для наилучшего представления нашего сайта. Продолжая использовать этот сайт, вы соглашаетесь с использование cookie файлов.