IGBT модули — силовые транзисторные модули для промышленности

IGBT MIDA-HB17SM-450N

Силовые модули MIDA разработаны для эксплуатации в составе промышленного оборудования с высокими требованиями к надежнос..

0р.

IGBT MIDA-HB17SM-600N

Линейка IGBT-модулей MIDA применяется в системах управления электроприводом, энергетике и промышленной автоматике.Модули..

0р.

IGBT MIFA-HB12SM-100N

Силовые модули MIFA разработаны для эксплуатации в составе промышленного оборудования с высокими требованиями к надежнос..

0р.

IGBT MIFA-HB12SM-150N

IGBT-модули серии MIFA предназначены для применения в промышленной силовой электронике, электроприводах и преобразовател..

0р.

IGBT MIFA-HB17SM-150N

Силовые модули MIFA разработаны для эксплуатации в составе промышленного оборудования с высокими требованиями к надежнос..

0р.

IGBT MIHA-HB17LA-300N

Высокое номинальное напряжение изоляции — 9800В Медное основание AlN DBC подложки Ультразвуковая приварка силовых выводо..

0р.

IGBT MIHM-SS17SM-2400N

IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Низкое ЭМИ Быстрое и мягкое восс..

0р.

IGBT MIHM-SS17SM-3600N

IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Низкое ЭМИ Быстрое и мягкое восс..

0р.

IGBT MIHM-SS33SG-1200N

IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Низкое ЭМИ Быстрое и мягкое восс..

0р.

IGBT MIHM-SS33SG-1500N

IGBT модуль высокой мощности Низкое значение UCE(sat) Длительность КЗ 10 мкс при 150°C Низкое ЭМИ Быстрое и мягкое восс..

0р.

IGBT MIHV-SS33SG-1500N

Модуль IGBT высокой мощности и повышенным номинальным напряжением изоляции 10.2 кВ Низкое значение UCE(sat) Длительность..

0р.

IGBT MIRA-IRB12LA-100N

Низкоиндуктивный IGBT модуль MIRA-IRB12LA-100N с высотой корпуса 17 мм. IGBT модуль с блокирующем напряжением 1200В и то..

0р.

IGBT MIRA-IRB12LA-150N

Низкоиндуктивный IGBT модуль MIRA-IRB12LA-150N с высотой корпуса 17 мм. IGBT модуль с блокирующем напряжением 1200В и то..

0р.

IGBT MIRA-IRB12LA-50N

Низкоиндуктивный IGBT модуль MIRA-IRB12LA-50N с высотой корпуса 17 мм. IGBT модуль с блокирующем напряжением 1200В и ток..

0р.

IGBT MIRA-IRB12LA-75N

Низкоиндуктивный IGBT модуль MIRA-IRB12LA-75N с высотой корпуса 17 мм. IGBT модуль с блокирующем напряжением 1200В и ток..

0р.

IGBT MISM-CH17SM-1200N