IGBT MISV-SS33SG-1200N
- НаличиеЕсть в наличии
0р.
- ICnom [A]1200
- UCES [В]3300
- Все характеристики
Срок поставки: От 30 дней
IGBT модуль высокой мощности и повышенным номинальным напряжением изоляции 10.4 кВ
- Низкое значение UCE(sat)
- Быстрое и мягкое восстановление
- Низкое ЭМИ
- AlSiC основание
- AlN DBC подложки
- Ультразвуковая приварка силовых выводов
- Высокое номинальное напряжение изоляции — 10400 В
- Соответствие RoHS
Общие
- ICnom [A]1200
- UCES [В]3300
- ИсполнениеТранспортное
- КонфигурацияДва ключа
- Корпус (ширина/длина) [мм]MISV (140/130)
- Подтверждение производства на территории РФ (719ПП)Внесен в реестр
- Технология кристаллаTrench-FS
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!
Похожие товары
IGBT MIAA-HB12SG-450N
IGBT MIAA-HB12SG-450N
Линейка IGBT-модулей MIAA применяется в системах управления электроприводом, энергетике и промышленной автоматике.Серия ..
ICnom [A]: 450
UCES [В]: 1200
0р.
IGBT MIAA-HB12SM-300N
IGBT MIAA-HB12SM-300N
IGBT-модули серии MIAA предназначены для применения в промышленной силовой электронике, электроприводах и преобразовател..
ICnom [A]: 300
UCES [В]: 1200
0р.
IGBT MIAA-HB17SM-300N
IGBT MIAA-HB17SM-300N
IGBT-модули серии MIAA предназначены для применения в промышленной силовой электронике, электроприводах и преобразовател..
ICnom [A]: 300
UCES [В]: 1700
0р.
IGBT MID2-HB12LA-300N
IGBT MID2-HB12LA-300N
Серия IGBT-модулей средней мощности MIDA разработана для компактных систем, где требуются высокие показатели эффективнос..
ICnom [A]: 300
UCES [В]: 1200
0р.
IGBT MID2-HB12LA-450N
IGBT MID2-HB12LA-450N
Серия IGBT-модулей средней мощности MIDA разработана для компактных систем, где требуются высокие показатели эффективнос..
ICnom [A]: 450
UCES [В]: 1200
0р.