Модуль диодный MDSM-SD33SG-1500N
- НаличиеЕсть в наличии
0р.
- IFAV/ITAV (Tc,°С) [A]1500 (80)
- IFM/ITM (Tc=25°С) [A]1000
- Все характеристики
Срок поставки: От 30 дней
- низкие статические и динамические потери
- быстрое и мягкое восстановление
- AlSiC основание
- AlN DBC подложки
- ультразвуковая приварка силовых выводов
- соответствие RoHS
Общие
- IFAV/ITAV (Tc,°С) [A]1500 (80)
- IFM/ITM (Tc=25°С) [A]1000
- rT/Tjmax [мОм]1.12
- Rthjc [°С/Вт]0.018
- Tjmax [°С]150
- UDRM/ URRM [В]3300
- UFM/UTM (Tc=25°С) [В]2.42
- UT(TO)/Tjmax [В]0.97
- Исполнениеоднопозиционное
- КорпусSM
- Основание ширина/длина [мм]140/130
- Типоднопозиционный диодный
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!
Похожие товары
Модуль диодный MDSV-SD33SG-1200N
Модуль диодный MDSV-SD33SG-1200N
низкие статические и динамические потери быстрое и мягкое восстановление AlSiC основание AlN DBC подложки ультразвукова..
IFAV/ITAV (Tc,°С) [A]: 1200 (80)
IFM/ITM (Tc=25°С) [A]: 2400
0р.
Модуль диодный MDSV-SD33SG-1500N
Модуль диодный MDSV-SD33SG-1500N
низкие статические и динамические потери быстрое и мягкое восстановление AlSiC основание AlN DBC подложки ультразвукова..
IFAV/ITAV (Tc,°С) [A]: 1500 (100)
IFM/ITM (Tc=25°С) [A]: 1200
0р.
Модуль диодный MDSV-SD33SG-2400N
Модуль диодный MDSV-SD33SG-2400N
низкие статические и динамические потери быстрое и мягкое восстановление AlSiC основание AlN DBC подложки ультразвукова..
IFAV/ITAV (Tc,°С) [A]: 2x1200 (100)
IFM/ITM (Tc=25°С) [A]: 1400
0р.
Модуль диодный МД1-1000-38-E
Модуль диодный МД1-1000-38-E
Диодные модули предназначены для применения в преобразователях энергии, а также в других цепях постоянного и переменного..
IFAV/ITAV (Tc,°С) [A]: 1000 (95)
IFM/ITM (Tc=25°С) [A]: 2512
0р.
Модуль диодный МД1-1000-40-E
Модуль диодный МД1-1000-40-E
Диодные модули предназначены для применения в преобразователях энергии, а также в других цепях постоянного и переменного..
IFAV/ITAV (Tc,°С) [A]: 1000 (95)
IFM/ITM (Tc=25°С) [A]: 2512
0р.