Модуль диодный MDDA-DD17SG-450N
  • Наличие
    Есть в наличии
0р.
Срок поставки: От 30 дней
+7 (3537) 31-13-13
sales@sdmprom.ru

Низкоиндуктивный диодный модуль высотой корпуса 17 мм 1700 В 450 A

  • Быстрое и мягкое восстановление
  • Низкое падение напряжения
  • медное основание
  • Al2O3 DBC подложки
  • Разварка силовых шин медной проволокой
  • улучшенная стойкость к термоциклам
  • Соответствие RoHS
  • Низкое значение индуктивности

Общие

  • IFAV/ITAV (Tc,°С) [A]
    450 (80)
  • IFM/ITM (Tc=25°С) [A]
    1350
  • rT/Tjmax [мОм]
    2.42
  • Rthjc [°С/Вт]
    0.110
  • Tjmax [°С]
    150
  • UDRM/ URRM [В]
    1700
  • UFM/UTM (Tc=25°С) [В]
    1.70
  • UT(TO)/Tjmax [В]
    0.89
  • Исполнение
    двухпозиционное
  • Корпус
    DA
  • Основание ширина/длина [мм]
    62/152
  • Тип
    диод-диод
Отзывов: 0
Поддерживаемые форматы: jpg, .jpeg, .png
Не более 5шт и 5мб

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросов: 0
Ваш вопрос

Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!

Похожие товары
Модуль диодный MDFA-DD17SM-200N
Модуль диодный MDFA-DD17SM-200N
Модуль диодный MDFA-DD17SM-200N
Модуль диодный в стандартном корпусе 34мм 1700 В 200 A Быстрое и мягкое восстановление Низкое падение напряжения медное..
IFAV/ITAV (Tc,°С) [A]: 200 (80) IFM/ITM (Tc=25°С) [A]: -
0р.
Модуль диодный MDSM-SD33SG-1200N
Модуль диодный MDSM-SD33SG-1200N
Модуль диодный MDSM-SD33SG-1200N
низкие статические и динамические потери быстрое и мягкое восстановление AlSiC основание AlN DBC подложки ультразвукова..
IFAV/ITAV (Tc,°С) [A]: 2x600 (80) IFM/ITM (Tc=25°С) [A]: 2x1166
0р.
Модуль диодный MDSM-SD33SG-1500N
Модуль диодный MDSM-SD33SG-1500N
Модуль диодный MDSM-SD33SG-1500N
низкие статические и динамические потери быстрое и мягкое восстановление AlSiC основание AlN DBC подложки ультразвукова..
IFAV/ITAV (Tc,°С) [A]: 1500 (80) IFM/ITM (Tc=25°С) [A]: 1000
0р.
Модуль диодный MDSV-SD33SG-1200N
Модуль диодный MDSV-SD33SG-1200N
Модуль диодный MDSV-SD33SG-1200N
низкие статические и динамические потери быстрое и мягкое восстановление AlSiC основание AlN DBC подложки ультразвукова..
IFAV/ITAV (Tc,°С) [A]: 1200 (80) IFM/ITM (Tc=25°С) [A]: 2400
0р.
Модуль диодный MDSV-SD33SG-1500N
Модуль диодный MDSV-SD33SG-1500N
Модуль диодный MDSV-SD33SG-1500N
низкие статические и динамические потери быстрое и мягкое восстановление AlSiC основание AlN DBC подложки ультразвукова..
IFAV/ITAV (Tc,°С) [A]: 1500 (100) IFM/ITM (Tc=25°С) [A]: 1200
0р.

Мы используем файлы cookie для наилучшего представления нашего сайта. Продолжая использовать этот сайт, вы соглашаетесь с использование cookie файлов.